| 型号：APTGT50H60T1G | 类别：IGBT | 制造商：Microsemi Power Products Group |
| 封装：SP1 | 描述：IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 | |
详细参数
| 类别 | IGBT |
|---|---|
| 描述 | IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 |
| 系列 | - |
| 制造商 | Microsemi Power Products Group |
| IGBT类型 | 沟道和场截止 |
| 配置 | 全桥反相器 |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 600V |
| VgewwwwIc时的最大Vce111开222 | 1.9V @ 15V，50A |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 80A |
| 电流_集电极截止111最大222 | 250µA |
| Vce时的输入电容（Cies） | 3.15nF @ 25V |
| 功率_最大 | 176W |
| 输入 | 标准 |
| NTC热敏电阻 | 是 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SP1 |
| 供应商设备封装 | SP1 |
供应商
| 昆山隆诚翔电子有限公司 | 曾小姐0512-82613006 |
| 深圳市同亨电子有限公司 | 洪小姐，微信18922857317【0755-23816885】/【18922857317】 |
| 深圳市物量万芯科技有限公司 | 张小姐0755-82715436 |
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